中国大陆MLCC技术获突破

　在MLCC发展进程中，需特别强调的是我国大陆科技工作者的历史贡献。在二战后，前苏联研制出的与美国类似的玻璃釉电容器技术传入我国大陆，形成了一定的生产规模。为进一步改进性能，扩大产能，20世纪60年代中国大陆产业界开始尝试用陶瓷介质进行轧膜成型、印刷叠压工艺制造独石结构的瓷介电容器。为适应多层共烧工艺要求，采用传统陶瓷电容器介质材料于1300℃以上高温烧结需采用Au-Pd-Pt三元贵金属电极系统，因成本太高，仅能维持极少量军品需求。以原电子工业部7所、715厂、华南工学院等单位为龙头的若干单位，先后于1967年和1969年完成了900℃左右低温烧结的2类和1类独石瓷介电容器的研制。前者以Smolenskii首先提出的Pb(Mg1/3Nb2/3)O3为主晶相。后者包括MgO-Bi2O3-Nb2O5和ZnO-Bi2O3-Nb2O5系，以及高介大温度系数Pb(Mg1/2W1/2)O3系统。上述系统在我国大陆实现工业化生产达20年。
　　20世纪80年代以来，我国大陆引进了干法流延和湿法印刷成膜及相关生产技术，有效地改善了MLC制造工艺水平。在实施国家“863”计划及其他多项科技攻关过程中，清华大学、西安交通大学、原电子工业部715厂、7所、中科院上海硅酸盐研究所、肇庆风华电子厂、泉州无线电元件厂等单位继续努力，全面改进和提高了低温烧结MLC材料体系的性能指标，使之迈上了一个新台阶。
　　上世纪80年代以前中国大陆电容器产业的片式化率几乎为零，仅有极少量多层陶瓷电容器(MLC)的半成品芯片以手工方式贴装于厚薄膜混合集成电路基板。80年代中期，原电子工业部下属715厂、798厂以及若干省市直属企业先后从美国引进13条MLC生产线，标志着中国大陆MLC生产核心技术从早期轧膜成型工艺过渡到现代陶瓷介质薄膜流延工艺，在产品小型化和高可靠性方面取得实质突破，并于1987年成立了以引进生产线为组成单位的MLC行业联合体。
　　上世纪90年代前期，上述企业与后续进入的达利凯、特威、灵通等外资企业相互兼并整合，并且出现了风华集团的脱颖而出。其间，由于三层端电极电镀工艺的突破，实现了引线式多层陶瓷电容器向完全表面贴装化的片式多层陶瓷电容器(MLCC)的过渡。
　　依托自主研发与技术创新团队体系，业界新军——成立于2001年的宇阳科技发展有限公司在极短时间内完成了超薄流延工艺与BME核心技术的研发与产业化，在MLCC微型化、高可靠、低成本制造技术领域迅速占据国内领先地位。其中，其自主研发的0402 BME微型MLCC于2002年10月通过科技成果鉴定，填补国内空白，属国内首创。2008年，宇阳科技又研发成功0201超微型MLCC并批量上市，再次填补了国内空白，在亚微米材料与薄膜流延加工技术BME微型MLCC材料体系与产品结构设计、还原性气氛烧结工艺等关键技术开发创新取得重大突破。
　　与此同时，风华、三环等国内传统大型元器件企业集团也相继完成BME-MLCC的技术改造和产业化。成为MLCC主流产品本地化制造供应源“三套马车”，与内地企业兼并改制后保留的军工及非标特殊品种供应点，共同构成了中国大陆MLCC产业界的新格局。