什么是无掩模布线形成技术

　　

　　半导体芯片或者PCB中最重要的电路布线自从发明以来的数十年间都是采用光致蚀刻或者光蚀刻法(Photoetching)制造的。这种工艺的布线形成工程复杂。需要形成线路图形用的透明照相底片(掩模)和用作感光性物质的光致抗蚀剂的组合。例如半导体LSI的光刻，在目前最先端的微细加工技术中投入了制作掩模的先端技术。

　　与半导体的布线宽度相差两个数量级(最小线宽约10um)的PCB，光致蚀刻的重要性也是很大的，它占据了基板制造工程数和制造成本中的大部分。除了掩模本身的成本外，还需要光致抗蚀剂的涂布装置、曝光装置、烘干、蚀刻槽、洗净烘干装置等许多相关装置，此外还需要镀覆铜等金属线路的镀覆工程装置，镀液的废液处理也是一个难题，需要花费大量财力。

　　无掩模布线形成技术，换言之无光致蚀刻(Photoetching Less)技术因其成本降低效果非常显著而受到安装技术者的极大关注。无掩模这一术语的广义是作为不使用掩模的技术，已有使用激光等使光致抗蚀剂直接曝光的直接成像(Diret Imaging，DI)，通过掩模印刷银胶的丝网印刷，从喷嘴喷出胶的配送料(D i spe n s e)等，但是本文关注的是通过使用喷墨的纳米油墨在PCB或半导体封装上形成布线的无掩模布线形成技术。